生长方法：直拉CZ  
型号/掺杂剂： P型/硼 N型/磷、砷、锑
晶向： <100> / <111>
电阻率 (Ω.cm)： 0.001-50
径向电阻率变化： (%) P< 6  N型 < 25
氧含量与公差：  5.0-7.8 × ± 0.5
径向氧含量变化 (%) ：< 5
碳含量 (at )： ≤ 2.0×
金属铁含量 (at ) ：≤ 1.0×
表面金属 (at)：铜 / 铬 / 铁 / 镍 ≤ 5.0×   铝 / 锌 / 钾 / 钠 / 钙 ≤ 2.0×
厚度 (微米)：按SEMI标准或用户要求
厚度公差 (微米) ：±15或用户要求
总厚度变化 TTV (微米)： < 2.5
平整度 TIR (微米)： < 1.2
局部平整度： STIRmax (微米) < 0.3
翘曲度 (微米)： < 30
颗粒 (# per wafer)： < 30 (for size > 0.2 微米) 

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