单晶硅标样，5mm x 5mm。可用于检查SEM、LM放大校正图像扭曲度。每10µm (0.01mm)有一方格。格与格之间分割线大约为1.9µm宽，由电子束形成。每隔500µm有一稍宽的分隔线，用于光学显微镜检测。分隔线和方格使用蚀刻法，约2µm宽200nm深。不同标样均可以安装在单晶硅检测标样上，可对电镜进行内部标定。可根据扫描电镜型号的不同选择标样及所带的样品台。